direktgesintertes Siliziumkarbid | ||
Direktgesintertes Siliziumkarbid (S-SiC). Durch druckloses Sintern von feinstkörnigem a- bzw. b-SiC-Pulver hergestellt. Als Sinterhilfsmittel werden Kohlenstoff und Bor- bzw. Beryllium oder Berylliumverbindungen oder Aluminium verwendet. Das Pulvergemisch wird zu bearbeitbaren Grünlingen verpreßt. Diese werden je nach Ausgangspulver zwischen 1900 und 2200 °C gesintert, wobei die Sinterhilfsmittel ein oberflächiges Schmelzen der SiC-Partikel und ein Verdichten des Werkstoffes bewirken. Die bis zu 20 % betragende Schwindung erfordert Nacharbeit. Da kein freies Silizium vorliegt, kann S-SiC im gesamten pH-Wert-Bereich eingesetzt werden. S-SiC ist spröder als reaktionsgesintertes Siliziumkarbid. Werkstoffkennwerte Werkstoffe für Gleit-und Gegenringe. Das Gefüge ist feinkörnig und gleichmäßig. |
S-SiC, Gleitflächenstruktur |
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