Reaktionsgesintertes Siliziumkarbid (Si-SiC) wird aus in Pulverform gemischtem a-SiC, Grafit und organischen Bindemitteln hergestellt. Diese zu Formteilen gepreßte Mischung wird auf ca. 1000 °C erhitzt, wobei der Binder verkokt. Zum anschließenden Silizieren bei 1500… 2200 °C werden die ggf. bearbeiteten Formteile in flussiges Silizium eingebracht. Dieses dringt in den Formring ein und reagiert mit dem Kohlenstoff zu sekundarem SiC. Vorhandene Poren werden mit Silizium gefullt. Es tritt keine nennenswerte Schwindung auf. Aufgrund des freien Siliziums, Anteil ca. 10 %, kann dieser Werkstoff nur bis zu einem pH-Wert von ca. 10 eingesetzt werden. Je nach Ausgangsmaterial ist das Gefuge fein- oder grob/feinkornig. Der Werkstoff ist nicht so sprode wie direktgesintertes Siliziumkarbid. Werkstoffkennwerte Werkstoffe fur Gleit- und Gegenringe.

Gefüge Si-SiC (100:l)