Siliziumkarbid ist die Verbindung von Silizium mit Kohlenstoff (SiC). Technisch wird es aus Quarzsand, Koks, Tonerde und Kochsalz in elektrischen Öfen bei 1900 … 2200 °C hergestellt (SiO₂+3C SiC+2CO). SiC ist elektrisch leitend und hat eine diamantähnliche Härte. Es tritt in einer kubischen Tieftemperaturphase (bSiC) und einer hexagonalen Hochtemperaturphase (aSiC) auf. Die b/a-Umwandlungstemperatur liegt bei ca. 2100 °C. In pulvriger Form ist SiC das Ausgangsprodukt für direktgesintertes Siliziumkarbid (S-SiC) und reaktionsgesintertes Siliziumkarbid (SiSiC). Werkstoffkennwerte Werkstoffe für Gleit- und Gegenringe.